SiGeHBT相关论文
研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响，对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化。结果表明，在SiGe HBT器件......
随着无线通讯技术的快速发展，对成本低，功耗低，集成度高的高性能器件和集成电路的需求大大增加，其中射频前端的集成是最为困难的。鉴于......
第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增......
以通讯领域的需求和技术发展为背景，介绍了SiGeHBT器件以及SiGeBiCMOS技术的发展历程。总结了SiGeHBT器件在器件结构和工艺步骤上的......
对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管（HBT）直流特性的影响进行了研究.结果表明,γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不......
噪声对RF电路设计非常关键，故需要对SiGeHBT噪声特性进行深入研究。根据器件的高频噪声模型，指出了影响SiGeHBT高频噪声参数的主要因......
结合超宽带（UWB）无线通信标准，给出了超宽带低噪声放大器（LNA）的设计思路。依据这个思想，并以高性能硅锗异质结双极型晶体管为核心，设计了......
对硅锗异质结双极型晶体管（SiGe HBT）等效高频噪声模型进行了研究,在建模过程中,SiGe HBT的等效电路为小信号准静态等效电路,使用二......
近年来，随着无线用户增多以及数据传输量的增大，现代通信系统需要采用频谱利用率更高的传输技术，才能够在有限的频谱范围内为更多的用......
众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响......
锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）作为微波毫米波领域中非常重要的高速固态器件，由于具有功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好、单......
经过二十年的发展，SiGeHBT技术已经广泛应用于微波／射频通讯领域。它的快速发展首先得益于外延技术的提高，其次是它与硅工艺完全兼容，......
